特許
J-GLOBAL ID：201603020935631795
グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
池田 憲保
, 福田 修一
, 佐々木 敬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-549708
特許番号：特許第5871213号
出願日： 2011年11月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)金属層を炭素含有層に接触させ、前記金属層を加熱することで、前記金属層中に前記炭素含有層中の炭素を溶解させる工程と、
(b)前記金属層を冷却することで、前記金属層に接触させた耐熱材料の表面に前記金属層中の前記炭素をグラフェンとして析出させる工程とを有することを特徴とするグラフェン基板の製造方法。
IPC (6件)：
C01B 31/02 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/40 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
C01B 31/02 101 Z
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/28 250 E
, H01L 29/28 310 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 A
