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J-GLOBAL ID：201702212176178723   整理番号：17A0759444

AlGaN/GaNH EMTにおける素子分離のための中性ビームエッチング【Powered by NICT】

Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs

著者 (11件)： Hemmi Fuyumi (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan) ,  Thomas Cedric (Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan) ,  Lai Yi-Chun (Advanced Institute of Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan) ,  Higo Akio (Advanced Institute of Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan) ,  Guo Alex (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Warnock Shireen (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139, USA) ,  del Alamo Jesus A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Samukawa Seiji (Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan) ,  Samukawa Seiji (Advanced Institute of Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan) ,  Otsuji Taiichi (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan) ,  Suemitsu Tetsuya (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, 980-8577 Sendai, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600617  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,漏れ電流の抑制と中性粒子ビーム(NB)エッチングによるGaNベース高電子移動度トランジスタ(HEMT)に及ぼす単離破壊電圧の改善を報告した。ドライエッチングプロセス中のプラズマ損傷はGaNH EMTにおける単離漏れ電流,ゲート漏れ電流,及び電流崩壊の重要な理由の一つである。NBエッチングは電荷がない実質的にいくつかのUV光子を持っているので,エッチングした表面に及ぼすプラズマ損傷を低減し,デバイス特性を向上させることができる。本研究では,GaNH EMTの素子分離プロセスへのNBエッチングを導入し,DCおよびステップストレスバイアス条件における絶縁漏れ電流を特性化した。も二端子試験素子アレイに絶縁破壊電圧を測定した。従来のプラズマ様ビーム(PB)エッチングによりエッチングした試料と特性を比較した。著者らの結果は,NBエッチングはメサ分離のエッチングした表面,優れた絶縁破壊電圧をもたらすを流れる漏れ電流を減少させることを示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プラズマ ,  紫外線 ,  *窒化ガリウム ,  *中性粒子ビーム ,  HEMT ,  *エッチング ,  キャラクタリゼーション ,  単離 ,  電流 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  ゲート漏れ電流 ,  プラズマ損傷 ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 破壊電圧 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  漏れ電流 ,  中性ビームエッチング ,  プラズマ損傷

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  EMT ,  素子分離 ,  中性ビーム ,  エッチング