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J-GLOBAL ID:201702228569303112   整理番号:17A1140058

光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング

著者 (7件):
資料名:
巻: 78th  ページ: ROMBUNNO.6p-PA8-26  発行年: 2017年08月25日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  ダイオード 
タイトルに関連する用語 (5件):
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