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J-GLOBAL ID：201702228569303112   整理番号：17A1140058

光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング

著者 (7件)： 松本悟 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ) ,  成田哲生 (豊田中研) ,  成田哲生 (名大 未来材料・システム研) ,  加地徹 (名大 未来材料・システム研) ,  橋詰保 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (名大 未来材料・システム研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6p-PA8-26  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光電気化学反応 ,  *N型半導体 ,  *窒化ガリウム ,  表層 ,  *RIE【エッチング】 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  *MIS構造 ,  *誘導結合プラズマ ,  照射損傷 ,  *プラズマ
準シソーラス用語： 低損傷 ,  書写損傷 ,  *ICP-RIE ,  低損傷エッチング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電気化学反応 ,  GaN ,  表面層 ,  損傷 ,  エッチング