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J-GLOBAL ID：201702229425979708   整理番号：17A0329188

ファインピッチRDLパターン形成特性【Powered by NICT】

Fine pitch RDL patterning characterization

著者 (4件)： Bing Chen (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Boon Soh Siew (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Wee Ho Soon (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Yang Jung Boo (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 675-678  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィーは,半導体素子と回路のための主要な技術である。CMOSスケーリングは,リソグラフィーを駆動するサブ10ナノメータ分解能に続けている。先端ウエハレベルパッケージング(WLP)の課題であるCMOS技術から非常に異なっていた。一般,WLPプロセスは,良好な臨界次元制御とほぼ90度垂直レジストプロフィルを必要とするが,フォトレジスト現像,電気めっき中の良好なレジスト接着と残留遊離レジストストリッピング性能後の遊離スカムを必要とする。本論文では,1μmポストリソグラフィー限界寸法(CD)設計を解決するために2μm厚さ化学増幅レジスト(CAR)に基づく新しい再分布層(RDL)プロセスを研究した。ハウス2μm厚さナフトキノンジアジド(NQD)とCARフォトレジストにおける著者らの既存の性能比較は,最小加工寸法均一性(CDU)及び銅(Cu)電気めっき性能に基づいていた。最終結果は1μm限界寸法(CD)と高度WLPのための統合的解決策を厚さでRDLを印刷するための有望である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レジスト ,  化学増幅レジスト ,  フォトレジスト ,  再分布 ,  現像 ,  スカム ,  *パターン形成 ,  電気めっき ,  分解能 ,  リソグラフィー ,  CMOS
準シソーラス用語： CD均一性 ,  CMOS技術 ,  ウエハレベルパッケージ ,  ナノメータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (1件)： パターン形成