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J-GLOBAL ID：201702231954805499   整理番号：17A0551275

(100)A面GaAs基板上にMBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成の解析

著者 (6件)： 伊藤瑛悟 (愛媛大 大学院) ,  檜垣興一郎 (愛媛大 大学院) ,  田中佐武郎 (愛媛大 大学院) ,  PATIL Pallavi (愛媛大 大学院) ,  石川史太郎 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17p-P2-5  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  MBE成長 ,  *ビスマス ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *多重量子井戸 ,  分析 ,  電子顕微鏡観察 ,  ビスマス化合物 ,  成分分析
準シソーラス用語： 組成分析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  GaAsBi ,  量子井戸 ,  BI ,  組成 ,  解析