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J-GLOBAL ID：201702234461954044   整理番号：17A0027891

水素検出用の格子付きゲートPt/SiO₂/Si MOSセンサーへのRFプラズマの効果

Effect of RF Plasma on Gridded Gate Pt/SiO₂/Si MOS Sensor for Detection of Hydrogen

著者 (5件)： Kumar Vinod (Department of Electronics and Communication Engineering, Raj Kumar Goel Institute of Technology, Ghaziabad, India) ,  Sunny (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Allahabad, India) ,  Mishra V. N. (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), Varanasi, Varanasi, India) ,  Dwivedi R. (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), Varanasi, Varanasi, India) ,  Das R. R. (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), Varanasi, Varanasi, India)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 16  号： 16  ページ： 6205-6212  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂表面のRF酸素プラズマ処理の効果を調べ,非プラズマ処理センサーと比較した。熱成長させた約120ÅのSiO₂膜の8個のサンプルを,電力と時間を変えた種々のRF O₂プラズマで処理した。センサーはすべて,25°Cにおいて,種々の濃度のH₂で試験した。センサーの感度は,40WのRF電力での8minの長時間プラズマ曝露により増加することが観測された。50WのRFプラズマで8minと12min処理したセンサーは,感度低下を示した。プラズマ処理したSiO₂膜の表面モフォロジーを原子間力顕微鏡(AFM)で調べ,多孔率,粒径,及び表面粗さを推定した。センサーの高い感度は,O₂プラズマ処理がSiO₂膜の多孔率,粒径,及び表面粗さを増大させた事実に起因すると考えられる。酸化物・固定電荷密度も,暴露時間とRF電力を変えて,水素濃度の関数として評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,  *水素 ,  *ガスセンサ ,  ゲート【半導体】 ,  白金 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *MOS構造 ,  *プラズマ ,  *高周波放電 ,  *プラズマ処理 ,  *モルフォロジー ,  *表面構造 ,  酸化膜 ,  薄膜成長 ,  感度 ,  プラズマ曝露 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  多孔性 ,  結晶粒度 ,  表面粗さ ,  電荷分布 ,  密度 ,  濃度
準シソーラス用語： *MOSキャパシタ ,  *RFプラズマ ,  酸素プラズマ ,  *表面形態 ,  熱成長酸化膜 ,  電荷密度 ,  水素濃度

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (9件)： 水素 ,  格子 ,  ゲート ,  Pt ,  SiO2 ,  Si ,  MOS ,  センサー ,  RFプラズマ