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J-GLOBAL ID：201702238942979176   整理番号：17A0547473

MgO(100)基板上β-Ga₂O₃:Si(100)薄膜のヘテロエピタキシャル成長

著者 (5件)： 若林諒 (東京工大) ,  服部真依 (東京工大) ,  吉松公平 (東京工大) ,  大友明 (東京工大) ,  大友明 (元素戦略)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14a-502-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  基板 ,  *酸化ガリウム ,  *ケイ素 ,  薄膜 ,  ヘテロエピタクシー ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： MgO ,  β-Ga2O3 ,  Si ,  薄膜 ,  成長