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J-GLOBAL ID：201702239821465243   整理番号：17A0606572

InSb(110)表面のsubsurface電子状態

著者 (13件)： 山下雄紀 (大阪大 理) ,  大坪嘉之 (大阪大 理) ,  大坪嘉之 (大阪大) ,  萩原健太 (大阪大 理) ,  岸潤一郎 (大阪大 理) ,  山根宏之 (分子研 UVSOR) ,  出田真一郎 (分子研 UVSOR) ,  田中清尚 (分子研 UVSOR) ,  木村真一 (大阪大 理) ,  山根宏之 (総合研究大学院大) ,  出田真一郎 (総合研究大学院大) ,  田中清尚 (総合研究大学院大) ,  木村真一 (大阪大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.17aK-PS-17  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アンチモン化インジウム ,  *電子状態 ,  表層 ,  表面 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  低速電子回折 ,  価電子バンド ,  Fermi準位 ,  電子系 ,  *表面電子状態 ,  半導体表面 ,  二次元電子系 ,  ARPES
準シソーラス用語： InSb ,  角度分解光電子分光 ,  低速電子線回折 ,  価電子帯

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： InSb ,  電子状態