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J-GLOBAL ID：201702246613659698   整理番号：17A0232226

PLD法による正方晶(Bi,K)TiO₃エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性特性に与える影響

著者 (9件)： 根本祐一 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  一ノ瀬大地 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  内田寛 (上智大 理工) ,  木口賢紀 (東北大 金属材料研) ,  佐藤祐介 (TDK) ,  山岡和希子 (TDK) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 55th  ページ： 17  発行年： 2017年01月12日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  カリウム化合物 ,  チタン酸塩 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *薄膜 ,  熱処理 ,  *強誘電性
準シソーラス用語： *エピタキシャル膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (7件)： PLD法 ,  正方晶 ,  Bi ,  エピタキシャル膜 ,  作製 ,  ポストアニール ,  強誘電性