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J-GLOBAL ID：201702255043869129   整理番号：17A0453593

N-非置換thienoisoindigos:調製,分子充填および両極性有機電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

N-Unsubstituted thienoisoindigos: preparation, molecular packing and ambipolar organic field-effect transistors

著者 (8件)： Yoo Dongho (Department of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Institute of Technology, O-okayama 2-12-1, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan. [e-mail] [e-mail] [e-mail]) ,  Hasegawa Tsukasa ,  Ashizawa Minoru ,  Kawamoto Tadashi ,  Masunaga Hiroyasu ,  Hikima Takaaki ,  Matsumoto Hidetoshi ,  Mori Takehiko
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 10  ページ： 2509-2512  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N-非置換thienoisoindigo(TIIG)とそのジフェニル誘導体(dph TIIG)は保護基としてのtert-ブトキシカルボニル(t-Boc)基を用いて合成した。TIIGはイソインジゴに類似した積層構造を持ち,dph TIIG煉瓦とヘリングボーン構造のハイブリッドである。これらの化合物は両極性トランジスタ特性を示し,特にdph TIIG0.1cm~2V~ 1s~ 1以上の最大正孔と電子の移動度を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  *分子充填 ,  積層構造 ,  移動度 ,  煉瓦 ,  *トランジスタ ,  保護基 ,  *両極性
準シソーラス用語： *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非置換 ,  調製 ,  分子充填 ,  両極性 ,  有機電界効果トランジスタ