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J-GLOBAL ID:201702256346024994   整理番号:17A0165370

SIN薄膜薄膜の製造技術実験研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental research on fabrication of silicon nitride film nanopore device
著者 (9件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 977-981  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0606A  ISSN: 1001-0505  CODEN: DDXZB9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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第3世代の遺伝子配列決定の要求に対して、大規模な窒化ケイ素薄膜膜の製造技術を提案した。異なる膜厚をもつ膜の応力を測定することにより,100NMの最適厚さをもつナノ孔を作製した。高収率の窒化ケイ素薄膜を,低圧化学蒸着,反応性イオンエッチング,および放出プロセスによって調製した。これに基づき、集束イオンビームと高エネルギー電子ビームを用いて、窒化ケイ素薄膜のナノ孔の製造を実現した。集束イオンのエッチング時間,電流とナノの直径の関係を研究した。実験結果により、集束イオンビームを用いて、窒化ケイ素薄膜の厚さが40NM以下に薄くなると、ナノ孔を作る効果がより良いことが分かった。集束イオンビームによって製造した窒化ケイ素薄膜の最小直径は26NMであり,電子ビームの最小直径は3.5NMであった。この方法は,固体ナノ孔に基づくDNA配列決定のための強力な支援を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
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固体デバイス製造技術一般 
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