文献

J-GLOBAL ID：201702258419653405   整理番号：17A0402547

糸状分解能を考慮したなしのナノインプリントリソグラフィーと異方性湿式エッチングの組み合わせによるサブ50nm構造のパターン形成【Powered by NICT】

Sub-50-nm structure patterning by combining nanoimprint lithography and anisotropic wet etching without considering original mold resolution

著者 (4件)： Kuwae Hiroyuki (Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Okada Akiko (Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Shoji Shuichi (Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Mizuno Jun (Research Organization for Nano and Life Innovation, Waseda University, 513 Wasedatsurumakicho, Shinjuku, Tokyo 162-0041, Japan)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 169  ページ： 39-42  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造を作製するための新規戦略をナノインプリントリソグラフィーと異方性湿式エッチングを組み合わせたことを実証した。提案した方法の分解能は元のインプリント型のそれに依存しない。原子的に鋭いV溝はナノインプリントリソグラフィーにより作製したSiO_2エッチングマスクを用いた異方性湿式エッチングにより形成した。原子スケール精度は室温で少量の界面活性剤を添加した水酸化テトラメチルアンモニウム溶液の異方性エッチング液で行った。テンプレートとしてV溝を用いて,Al_2O_3/Alは,厚い樹脂を用いた平坦化後傾斜Arイオンミリングにより堆積し,エッチングした。50nm以下の金属構造は,初期金型構造の72%サイズ縮小を達成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属構造 ,  ナノ構造 ,  *異方性 ,  イオンエッチング ,  *ウェットエッチング ,  *分解能 ,  *パターン形成 ,  界面活性剤
準シソーラス用語： *ナノインプリント ,  サイズ縮小 ,  平坦化 ,  異方性エッチング ,  原子スケール ,  V溝 ,  *ナノインプリントリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノインプリント ,  インプリント型 ,  V溝 ,  異方性ウエットエッチング ,  Arイオンミリング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分解能 ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  異方性 ,  湿式エッチング ,  組み合わせ ,  サブ ,  パターン形成