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J-GLOBAL ID：201702268946269199   整理番号：17A0759463

ガンマ線放射耐性SiC-MOSFETのための最適構造【Powered by NICT】

Optimum structures for gamma-ray radiation resistant SiC-MOSFETs

著者 (17件)： Mitomo Satoshi (Saitama University, Sakuraku, Saitama 338-8570, Japan) ,  Mitomo Satoshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki 370-1292, Japan) ,  Matsuda Takuma (Saitama University, Sakuraku, Saitama 338-8570, Japan) ,  Matsuda Takuma (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki 370-1292, Japan) ,  Murata Koichi (Saitama University, Sakuraku, Saitama 338-8570, Japan) ,  Murata Koichi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki 370-1292, Japan) ,  Yokoseki Takashi (Saitama University, Sakuraku, Saitama 338-8570, Japan) ,  Yokoseki Takashi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki 370-1292, Japan) ,  Makino Takahiro (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki 370-1292, Japan) ,  Takeyama Akinori (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki 370-1292, Japan) ,  Onoda Shinobu (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki 370-1292, Japan) ,  Ohshima Takeshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki 370-1292, Japan) ,  Okubo Shuichi (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, Saitama 352-8666, Japan) ,  Tanaka Yuki (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, Saitama 352-8666, Japan) ,  Kandori Mikio (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, Saitama 352-8666, Japan) ,  Yoshie Toru (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, Saitama 352-8666, Japan) ,  Hijikata Yasuto (Saitama University, Sakuraku, Saitama 338-8570, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600425  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高耐放射線SiC MOSFETを開発するために,ゲート酸化膜厚と窒化過程に及ぼすガンマ線照射応答の依存性,酸化物成長とp型井戸注入のための使用を検討した。厚いゲート酸化物(60 nm)をもつSiC MOSFETは400kGy以上のしきい値電圧シフトΔV_thの急速な減少を示し,薄いゲート酸化物(35 nm)より低い用量で通常オン状態へ移行した。低濃度N_2O(10%)で処理したゲート酸化膜を持つMOSFETは100%N_2O処理よりも高い放射線耐性(ΔV_th,チャネル移動度,サブしきい値スイング)を示した。よりp型井戸注入ステップ(三段階)を持つMOSFETは二段階を注入したものと比較してしきい値電圧の小さな負のシフトを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  γ線照射 ,  *炭化ケイ素 ,  高速度 ,  酸化物 ,  *γ線 ,  *耐放射線性 ,  窒化
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  サブ閾値スイング ,  チャネル移動度 ,  閾値電圧シフト ,  ゲート酸化物 ,  ゲート酸化膜 ,  *SiC-MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： デバイス設計 ,  ガンマ放射 ,  MOSFET ,  放射線抵抗性 ,  SiC

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ガンマ線 ,  放射耐性 ,  SiC ,  MOSFET