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J-GLOBAL ID：201702270586839215   整理番号：17A0753906

ウェハ接合技術を利用したGaInN/GaInP/GaAs/Ge4接合太陽電池の作製

著者 (6件)： 篠田亮二 (名城大 理工) ,  岩谷素顕 (名城大 理工) ,  竹内哲也 (名城大 理工) ,  上山智 (名城大 理工) ,  赤崎勇 (名城大 理工) ,  赤崎勇 (名古屋大 赤崎記念研究セ)
資料名： 名城大学総合研究所紀要  (Bulletin of Research Institute of Meijo University)
号： 22  ページ： 57-60  発行年： 2017年03月31日 
JST資料番号： L6402A  ISSN： 1344-8099  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・窒化物半導体材料はバンドギャップエネルギーが可視域全域にわたり,同材料を用いた太陽電池は既存のGalnP/GaAs/Ge等の3接合型太陽電池と組み合わせた4接合型太陽電池のトップセル材料としても有用であり,理論的に期待されるエネルギー変換効率は60%を超えることが可能。
・本研究ではウェハ接合法を用いた4接合太陽電池の作製し,特に接合技術に関して詳細に検討し,直接接合法と中間層に透明電極材料であるITOを用いた接合法を検討。
・接合条件に関しては,両接合とも接合時の加圧を5MPaと固定し,350,400,450°Cと接合温度を変化させ,接合温度と接合面積の関係を調査し,一方,表面処理を利用した接合に関しては,ITO/ITOにおいて,プラズマ照射時間と接合面積の関係を確認。
・作製したGaAs/GaN接合およびITOの接合強度を,引っ張り試験機を用いて定量的に測定。
・接合温度と接合強度には相関性がみられ,接合温度の上昇とともに,接合強度が増大する傾向が確認でき,一方,プラズマ照射による接合強度の関係としては10[S]のプラズマ照射時間において最も高い接合強度を示す傾向。
・太陽電池特性を評価した結果,窒化物太陽電池,3接合型太陽電池の接合前における開放端電圧はそれぞれ2.03V,2.10Vであったのに対し,これらの接合後においては2.85Vとなり,多接合化による開放端電圧の向上を確認。
・一方,多接合型太陽電池における開放端電圧は,接合前の各太陽電池の和よりも低下し,これは4接合化に伴う3接合型太陽電池の短絡電流密度の大幅な減少によるものであると考えられ,今後電流マッチングや接合界面の抵抗の低減が必要。

シソーラス用語： *接合 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  ヒ化ガリウム ,  ゲルマニウム ,  *太陽電池 ,  化合物半導体 ,  *エネルギー変換効率 ,  酸化インジウムスズ ,  温度 ,  プラズマ曝露 ,  付着強さ ,  電圧 ,  電流密度 ,  窒化インジウムガリウム ,  短絡電流密度 ,  リン化ガリウムインジウム ,  *タンデム太陽電池 ,  III-V半導体
準シソーラス用語： *ウエハボンディング ,  リン化インジウムガリウム ,  *多接合太陽電池 ,  III-V族化合物半導体 ,  ITO ,  接合温度 ,  開放端電圧

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  接着  (WC07020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウェハ ,  GaInP ,  GaAs ,  太陽電池 ,  作製