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J-GLOBAL ID：201702270975343353   整理番号：17A0661105

SiC上のエピタキシャルグラフェンの構造と電子的性質に及ぼすPbインターカレーションの影響【Powered by NICT】

Effects of Pb Intercalation on the Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on SiC

著者 (14件)： Yurtsever Ayhan (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka, 560-8531, Japan) ,  Yurtsever Ayhan (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Onoda Jo (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada, Oka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Onoda Jo (Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8561, Japan) ,  Iimori Takushi (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Niki Kohei (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada, Oka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Niki Kohei (Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8561, Japan) ,  Miyamachi Toshio (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Abe Masayuki (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka, 560-8531, Japan) ,  Mizuno Seigi (Department of Molecular and Material Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka, 816-8580, Japan) ,  Tanaka Satoru (Department of Applied Quantum Physics and Nuclear Engineering, Kyushu University, Fukuoka, 819-0395, Japan) ,  Komori Fumio (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Sugimoto Yoshiaki (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada, Oka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Sugimoto Yoshiaki (Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8561, Japan)
資料名： Small  (Small)
巻： 12  号： 29  ページ： 3956-3966  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC(0001)基板上に成長させたエピタキシャルな単一層グラフェンの構造及び電子特性に及ぼすPbインターカレーションの影響を,走査型トンネル顕微鏡(STM),非接触原子間力顕微鏡法,Kelvinプローブ力顕微鏡(KPFM),X線光電子分光法,角度分解光電子放出分光法(ARPES)法を用いて調べた。STMの結果は,グラフェン層の下のPb原子インターカレーションに誘起された秩序化モアレ超構造パターンの形成を示した。ARPES測定は,二つの付加的な直線的に分散πバンドの存在を明らかにし,その基礎となるSiC基板から緩衝層の剥離の証拠を提供する。Pbインターカレーションにより,Siの2p内殻準位スペクトルは界面領域でのPb-Si化学結合の存在のためのシグネチャを示し,低結合エネルギー側にバルクSiC成分の1.2eVのシフトを明らかにした。Pbインターカレーションは,グラフェンの正孔ドーピングを生じ,Fermi準位の上約0.1eVによるDirac点エネルギーのシフトをもたらし,ARPES測定によって明らかにされた。KPFM実験はPbインターカレーションによるグラフェン層のデカップリングは仕事関数増加を伴っていることを示した。仕事関数の増加はグラフェン層にSiC基板からの電子移動の抑制に帰因される。Pbインターカレーション構造は環境条件と1250°Cまでの高温で安定であることが分かった。これらの結果は,グラフェンキャップPb/SiCシステムの構築がグラフェンの電子特性を調整し,超伝導とスピントロニクスなどの興味ある物理的性質を調べる可能性を提供することを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インターカレーション ,  結合エネルギー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *炭化ケイ素 ,  *エピタクシー ,  バッファ層 ,  仕事関数 ,  界面 ,  単一層 ,  超伝導 ,  Fermi準位 ,  *ケイ素 ,  *鉛 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ARPES , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 角度分解光電子放出分光法 ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  グラフェン ,  走査型プローブ顕微鏡法 ,  X線光電子分光法

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  電子 ,  性質 ,  Pb ,  インターカレーション