ナノ結晶Si層とピラミッド状組織を用いた結晶Si太陽電池の光トラッピング【Powered by NICT】

Imamura Kentaro; Nonaka Takaaki; Onitsuka Yuya; Irishika Daichi; Kobayashi Hikaru

文献

J-GLOBAL ID：201702278371690499 整理番号：17A0402787

ナノ結晶Si層とピラミッド状組織を用いた結晶Si太陽電池の光トラッピング【Powered by NICT】

Light trapping of crystalline Si solar cells by use of nanocrystalline Si layer plus pyramidal texture

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巻： 395 ページ： 50-55 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

表面構造化学移動(SSCT)法は170μm厚さの単結晶Si太陽電池の製作に適用した。,6インチのウエハの~30秒だけをSiとH_2O_2とHF溶液中でのSiウエハの浸漬とPt触媒の接触を含む単純,SSCT法はナノ結晶Si層の形成によって反射率を減少させる3%以下にできる。しかし,1000nmより長い波長領域におけるナノ結晶Si層/平坦なSi表面/後Ag電極構造の反射率が入射光の不十分な吸収のために高い。長波長領域における反射率は光路長の増加に起因するピラミッド組織化したSi表面上のナノ結晶Si層の形成により大幅に低下する。ナノ結晶Si層の表面領域である1.4 1.5のPSGのそれとほぼ同じである1.4の屈折率を有しているのでpn接合の形成のためのナノ結晶Si層上のりんけい酸塩ガラス(PSG)の堆積は超低反射率を変化させなかった。PSG層はナノ結晶Si層,12 44μsから少数キャリア寿命の増加から明らかであることを不動態化することが分かった。450°Cでの水素処理は更に約2倍値に少数キャリア寿命を増加させた。<前面Ag電極/ナノ結晶Si層/ピラミッド型Si substrate/boron拡散裏面field/Ag裏面電極>構造を持つ太陽電池は,反射防止皮膜なしの簡単なセル構造にもかかわらず18.5%の高い変換効率を示した。この場合,短絡光電流密度はAM1.5100mW/cm~2照射下で40.1mA~2であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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太陽電池

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