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J-GLOBAL ID：201702283018197541   整理番号：17A0698555

Naフラックス法によるGaN結晶の合体成長に及ぼすフラックス組成比の影響【Powered by NICT】

Effect of flux composition ratio on the coalescence growth of GaN crystals by the Na-flux method

著者 (10件)： Honjo Masatomo (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Imanishi Masayuki (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Imabayashi Hiroki (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Nakamura Kosuke (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Murakami Kosuke (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Matsuo Daisuke (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Maruyama Mihoko (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Imade Mamoru (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Yoshimura Masashi (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Mori Yusuke (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 65  ページ： 38-41  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前,Na フラックス合併成長法は,大口径,高品質GaN結晶の作製のための大きな可能性を有することを示した。本研究は,フラックス組成(Ga/Na),この方法で成長させたGaN結晶中のボイド形成の間の関係を調べた。フラックスのGa組成の減少と共に減少するボイド形成がGaN結晶粒界でのボイドと安定な合体が15mo1%のGa組成の発生しないことが分かった。バンド端発光ピークは15mo1%Ga組成で成長させた結晶で明らかに観測されたが,他のピークはほとんど観察されなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶 ,  *ガリウム ,  *ナトリウム ,  結晶粒界 ,  *フラックス法 ,  大口径 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： バンド端発光 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化ガリウム ,  合体成長 ,  フラックス組成 ,  ボイド形成

分類 (3件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (8件)： Na ,  フラックス法 ,  GaN ,  結晶 ,  合体 ,  成長 ,  フラックス ,  組成比