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J-GLOBAL ID：201702283105624486   整理番号：17A0362536

RF MEMS容量性スイッチに使用されるダイヤモンド膜における誘電体帯電現象:膜厚の影響【Powered by NICT】

Dielectric charging phenomena in diamond films used in RF MEMS capacitive switches: The effect of film thickness

著者 (7件)： Koutsoureli M. (Physics Department, University of Athens, 15784 Panepistimioupolis, Athens, Greece) ,  Zevgolatis A. (Physics Department, University of Athens, 15784 Panepistimioupolis, Athens, Greece) ,  Saada S. (CEA, LIST, Diamond Sensors Lab., F-91191 Gif-sur-Yvette, France) ,  Mer-Calfati C. (CEA, LIST, Diamond Sensors Lab., F-91191 Gif-sur-Yvette, France) ,  Michalas L. (Physics Department, University of Athens, 15784 Panepistimioupolis, Athens, Greece) ,  Papaioannou G. (Physics Department, University of Athens, 15784 Panepistimioupolis, Athens, Greece) ,  Bergonzo P. (CEA, LIST, Diamond Sensors Lab., F-91191 Gif-sur-Yvette, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 660-664  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,RF MEMS容量性スイッチに使用されるナノ結晶ダイヤモンド(NCD)膜の誘電帯電現象へのより良い洞察を提供することを目的とする。種々の厚さのNCD膜の電気特性を金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタを用いて調べた。支配的な伝導機構は,300Kから400Kの温度範囲で電流-電圧特性を求めることにより同定され,誘電体帯電現象を,熱刺激脱分極電流(TSDC)法を用いて研究した。実験結果は,低電場強度のための熱的に活性化した伝導率を示したHill型伝導は場強度>130kV/cmに発生している。伝導率と欠陥密度は膜厚とともに増加するようである。増強された誘電帯電現象は,より厚い膜に観察され,注入された電荷は,材料の体積によって捕捉されたことが分かった。これらの結果は,薄いNCD膜はRF MEMS容量性スイッチのためのより有望であるように見えることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流電圧特性 ,  *膜厚 ,  欠陥密度 ,  コンデンサ ,  *誘電体 ,  電界強度 ,  *スイッチ ,  *ダイヤモンド ,  *帯電 ,  絶縁材料 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 伝導率 ,  熱刺激脱分極電流 ,  温度範囲 ,  伝導機構 ,  *RF MEMS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： RF MEMSスイッチ ,  信頼性 ,  誘電体帯電 ,  ダイヤモンド ,  電気的性質

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  MEMS ,  容量性 ,  ダイヤモンド膜 ,  誘電体 ,  帯電 ,  現象 ,  膜厚