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J-GLOBAL ID：201702289552923776   整理番号：17A0361460

SiCr溶媒を用いた溶液成長中のSnとAlの添加による4H-SiC表面の形態の改質【Powered by NICT】

Modification of the surface morphology of 4H-SiC by addition of Sn and Al in solution growth with SiCr solvents

著者 (7件)： Komatsu Naoyoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Mitani Takeshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Hayashi Yuichiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Kato Tomohisa (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Harada Shunta (Nagoya University, Furou-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Ujihara Toru (Nagoya University, Furou-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan) ,  Okumura Hajime (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 458  ページ： 37-43  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si_0 6 yCr_0 4Al_xSn_y溶媒を用いた4H-SiCの溶液成長のために,Si_0 6Cr_0 4溶媒へのSn及びAlの添加により誘起された表面形態と多形の変化を調べた。Si_0 6Cr_0 4溶媒による成長した数μm高大きなマクロステップで覆われた粗い表面をもたらし,成長した層のポリタイプは6H及び15R-SiCに変換した。2at%以上AlはSiCr_0 4溶媒に添加した場合,表面粗さとポリタイプ不安定性は抑制された。もII4at%Snと1at%Alの複合添加は滑らかな表面形態をもたらすことを見出した。溶媒のぬれの性質の点で,添加剤による4H-SiCの表面形態の改質を検討した。実験と熱力学的計算の結果に基づいて,SnとAlの両方の添加は,液体/固体界面エネルギーを増加させた。二次元核形成エネルギーは,界面エネルギーと共に増加するので,著者らは4H-SiCの滑らかなステップフロー成長は成長表面上の二次元核形成の頻度を低下させることにより達成されたと結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面エネルギー ,  表面構造 ,  濡れ ,  *スズ ,  二次元 ,  ポリタイプ ,  *アルミニウム ,  *炭化ケイ素 ,  熱力学 ,  核形成 ,  不安定性 ,  *溶液成長
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  表面形態 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1ラフニング ,  A1溶媒 ,  A1表面構造 ,  A2溶液からの成長 ,  B1炭化けい素

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶媒 ,  溶液成長 ,  Sn ,  Al ,  4H-SiC ,  形態 ,  改質