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J-GLOBAL ID：201702290597025598   整理番号：17A0402788

結晶Si太陽電池のための熱SiO_2/Si界面を改善するためのSi(NAOS)法の硝酸酸化により形成された超薄SiO_2層【Powered by NICT】

Ultrathin SiO₂ layer formed by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method to improve the thermal-SiO₂/Si interface for crystalline Si solar cells

著者 (6件)： Matsumoto Taketoshi (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, and CREST, Japan Science and Technology Agency, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Nakajima Hiroki (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, and CREST, Japan Science and Technology Agency, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Irishika Daichi (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, and CREST, Japan Science and Technology Agency, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Nonaka Takaaki (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, and CREST, Japan Science and Technology Agency, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Imamura Kentaro (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, and CREST, Japan Science and Technology Agency, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Kobayashi Hikaru (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, and CREST, Japan Science and Technology Agency, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 56-60  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(NAOS)法とポスト酸化の硝酸酸化の組合せはSiO_2/n-Si(100)界面を不動態化することが分かった。925°Cで熱酸化と純水素雰囲気中,450°Cでのアニーリングは少数キャリア寿命を増加させる三桁のオーダーで,Siダングリングボンド界面状態の除去によるものである。熱酸化とH_2アニーリング前に超薄膜,すなわち,1.1nm,NAOS SiO_2層の作製は,8.6から11.1msに少数キャリア寿命を30%増加し,6.9×10~9から界面状態密度を減少させた10%6.3×10~9eV~ 1cm~ 2であった。800°Cでの熱酸化後,NAOS SiO_2/Si(100)構造に及ぼすSiO_2層は2.26nmの厚さの,Si(100)表面上のそれよりもすなわち,0.24nmより厚い,925°Cで熱酸化後,厚さ4.2nm,すなわちSi(100)上のそれよりも,0.4nmより薄い。Refで報告されたように化学的安定性は,熱酸化物層のそれよりもNAOS SiO_2層の高い原子密度に起因した。[28](Asuha.,2002)。NAOS層の存在下でのより高い少数キャリア寿命は,低界面状態密度のNAOS SiO_2/Si界面は,熱酸化,外方拡散酸化機構,熱酸化物層はNAOS SiO_2層上に形成されるを支える後も維持されることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ダングリングボンド ,  *太陽電池 ,  表面準位 ,  *酸化 ,  焼なまし ,  *界面 ,  *硝酸 ,  超薄膜 ,  不動態化 ,  少数キャリア ,  熱酸化 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 酸化物層 ,  界面状態密度 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 硝酸 ,  NAOS ,  シリコン ,  太陽電池 ,  熱酸化物 ,  不動態化

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶Si ,  太陽電池 ,  Si ,  界面 ,  法 ,  硝酸酸化