【課題】 飽和磁化が小さく平坦な垂直磁化膜構造を提供すること、およびこの垂直磁化膜構造を用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 MnGa合金に窒素Nを制御して導入して形成した窒素不足組成の(Mn1-xGax)Ny(0
請求項(抜粋):
組成が、
(Mn1-xMx)Ny
(Mは、Ga、Geの金属元素のうちの1種または2種を示し、0
IPC (4件):
H01F 10/12
, H01L 43/08
, H01L 43/10
, H01F 41/18
FI (4件):
H01F10/12
, H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01F41/18
Fターム (21件):
5E049AA10
, 5E049BA08
, 5E049CB02
, 5E049DB04
, 5E049DB14
, 5E049GC04
, 5E049JC01
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092BB05
, 5F092BB23
, 5F092BB24
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB43
, 5F092BB44
, 5F092BB53
, 5F092BE13
, 5F092BE21
, 5F092BE24
引用特許:
引用文献:
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