特許
J-GLOBAL ID:201703015614924565
記憶装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
木村 満
, 佐藤 浩義
, 毛受 隆典
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-107984
公開番号(公開出願番号):特開2016-225000
出願日: 2015年05月27日
公開日(公表日): 2016年12月28日
要約:
【課題】複数連携させることにより、より高いソフトエラー耐性を有する記憶装置を提供する。【解決手段】記憶装置は二段階に抵抗値が変化する抵抗変化型素子Mと、CMOS回路から構成される。CMOS回路は、抵抗変化型素子Mに接続され、抵抗変化型素子Mを記憶対象データに対応する抵抗値に設定する書き込み回路P13〜P15,N13,N14、IV11と、抵抗変化型素子Mの抵抗値に対応するデータを出力するインバータIV12とを備える。【選択図】図6
請求項(抜粋):
不揮発性記憶素子と、
前記不揮発性記憶素子に接続され、前記不揮発性記憶素子に記憶対象データを書き込む書き込み回路と、
前記不揮発性記憶素子よりもデータ書き換え時間が短く、前記不揮発性記憶素子の記憶データに対応するデータを記憶して出力する出力回路と、
から構成された記憶装置。
IPC (5件):
G11C 11/15
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/82
, H01L 43/08
FI (4件):
G11C11/15 110
, H01L27/10 447
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
Fターム (17件):
4M119AA20
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119DD17
, 4M119KK05
, 5F092AA07
, 5F092AB06
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB23
, 5F092BB24
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB43
, 5F092BB44
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
ラッチ回路及び電子機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-079832
出願人:富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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特開昭61-294932
審査官引用 (3件)
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ラッチ回路及び電子機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-079832
出願人:富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
特開昭61-294932
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特開昭61-294932
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