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J-GLOBAL ID：201802251381154281   整理番号：18A1374077

(100)面 GaAs基板上にMBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成の解析

著者 (7件)： 塚本晟 (愛媛大 大学院) ,  伊藤瑛悟 (愛媛大 大学院) ,  檜垣興一郎 (愛媛大 大学院) ,  田中佐武郎 (愛媛大 大学院) ,  PATIL Pallavi (愛媛大 大学院) ,  石川史太郎 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2017  ページ： 69  発行年： 2017年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  *多重量子井戸 ,  電子顕微鏡観察 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *MBE成長 ,  *ガリウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  ヒ化物 ,  半導体材料 ,  *化合物半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  *化学組成 ,  GaAsBi ,  透過型走査電子顕微鏡法
準シソーラス用語： 透過型走査電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  GaAsBi ,  量子井戸 ,  BI ,  組成 ,  解析