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J-GLOBAL ID:201802260542795863   整理番号:18A0988499

ホスフィンオキシド配位子にエチニル基を導入した七配位Tb(III)錯体の光増感エネルギー移動発光

著者 (5件):
資料名:
号: 72  ページ: 124-125  発行年: 2018年05月08日 
JST資料番号: L0027A  ISSN: 0910-2205  CODEN: KIDOEP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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・ホスフィンオキシド配位子にπ共役を拡張するためにエチニル基を導入した配位子の合成。
・新配位子を用いたTb(III)の単角錯体および二核錯体の調製。
・得られた錯体の単結晶X線回折による結晶構造解析,発光スペクトル測定,発光寿命の温度依存性測定。
・錯体の密度汎関数法計算によるLLCT遷移の計算結果。
シソーラス用語:
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分類 (3件):
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第3族元素の錯体  ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  ,  錯体のルミネセンス 
物質索引 (2件):
物質索引
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