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J-GLOBAL ID：201802267592045966   整理番号：18A2010561

斜入射X線散乱測定による薄膜の配向構造評価

著者 (2件)： 篠原佑也 (テネシー大) ,  永野修作 (名古屋大 ベンチャービジネスラボラトリー)
資料名： 液晶  (日本液晶学会誌)
巻： 22  号： 4  ページ： 246-255  発行年： 2018年10月25日 
JST資料番号： L3796A  ISSN： 1880-6449  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・日本液晶学会誌の講座記事として,高分子液晶薄膜の配向構造を,斜入射X線散乱測定によって評価する方法を記述。
・斜入射X線散乱について,理論,薄膜試料についての実験方法,測定装置の配置,測定の際の留意点を記述。
・研究例として,側鎖型高分子液晶薄膜での分子配向,有機無機ハイブリッド薄膜での配向構造,光応答性液晶性ブロック共重合体の階層構造および光配向機構,などの研究を紹介。

シソーラス用語： *側鎖型高分子液晶 ,  ハイブリッド複合材料 ,  *ブロック共重合体 ,  *分子配向 ,  *薄膜 ,  すれすれ入射 ,  *小角X線散乱 ,  構造解析 ,  階層構造 ,  光照射 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  芳香族縮合化合物 ,  ポリメタクリル酸ブチル ,  実験
準シソーラス用語： 有機無機ハイブリッド複合材料 ,  液晶配向 ,  光配向 ,  トリフェニレン誘導体 ,  in situ実験

分類 (2件)： 液晶一般  (BK03010L) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

引用文献 (52件)：

• B. J. Factor, T. P. Russell and M. F. Toney, Macromolecules, 26, 2847 (1993).
• Z. Cai, K. Huang, P. Montano, T. Russell, J. Bai and G. Zajac, J. Chem. Phys., 98, 2376 (1993).
• D. M. Smilgies, P. Busch, C. M. Papadakis and D. Posselt, Synchrotron Radiat. News, 15, 35 (2002).
• H. Sirringhaus, P. Brown, R. Friend, M. M. Nielsen, K. Bechgaard, B. Langeveld-Voss, A. Spiering, R. A. Janssen, E. Meijer, P. Herwig and D. M. de Leeuw, Nature, 401, 685 (1999).
• P. Müller-Buschbaum, R. Cubitt and W. Petry, Langmuir, 19, 7778 (2003).

タイトルに関連する用語 (4件)： 斜入射 ,  X線散乱 ,  薄膜 ,  評価