特許

J-GLOBAL ID：201803001126078120

受光素子

発明者： 武田 浩太郎 ,  山田 浩治 ,  福田 浩 ,  和田 一実 ,  石川 靖彦
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-221100
公開番号（公開出願番号）：特開2016-092048
特許番号：特許第6284195号
出願日： 2014年10月30日
公開日（公表日）： 2016年05月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 光入力端から光導波方向に延在して前記光入力端より入力された光が導波する第1導電型の第1シリコン層と、 前記第1シリコン層とともに前記光導波方向に延在して前記第1シリコン層の上に形成されたゲルマニウムからなる吸収層と、 前記吸収層とともに前記光導波方向に延在して前記吸収層の上に形成された第2導電型の第2シリコン層と、 前記第1シリコン層に接続する第1電極と、 前記第2シリコン層の上に形成されて前記第2シリコン層に接続する第2電極と、 前記吸収層に印加される電場が、前記光導波方向に前記光入力端から離れるほど強くなる電場可変手段と を備え、 前記吸収層は、前記光入力端より離れるほど薄く形成され、 前記光入力端より離れるほど薄く形成された前記吸収層により前記電場可変手段が構成されていることを特徴とする受光素子。

IPC (1件)：

H01L 31/10 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-223390   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-094573
  
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-170060   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-223390   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-094573
  
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-170060   出願人：富士通株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Franz-Keldysh and avalanche effects in a germanium waveguide photodiode

審査官引用 (1件)

• Franz-Keldysh and avalanche effects in a germanium waveguide photodiode