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J-GLOBAL ID：200902122085077821   整理番号：01A0324149

荷電粒子用の積層CMOS型活性ピクセルセンサの出力特性

Output characteristics of stacked CMOS-type active pixel sensor for charged particles.

著者 (6件)： NAGASHIMA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KUNIHIRO T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKAYANAGI I (Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA J (Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOSAKA K (Tokyo Technol. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YURIMOTO H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 31  号： 2  ページ： 131-137  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記積層COMS型活性ピクセルセンサ(SCAPS)を開発し,...

シソーラス用語： *荷電粒子検出 ,...

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分類 (3件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  質量分析  (CC03013N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 荷電粒子 ,  CMOS ,  活性 ,  ピクセルセンサ ,  出力特性