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J-GLOBAL ID：200902190019725826   整理番号：01A1034076

荷電粒子に関する積層CMOS活性ピクセルセンサの雑音特性

Noise characteristics of stacked CMOS active pixel sensor for charged particles.

著者 (6件)： KUNIHIRO T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NAGASHIMA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKAYANAGI I (Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA J (Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOSAKA K (Tokyo Technol. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YURIMOTO H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 470  号： 3  ページ： 512-519  発行年： 2001年09月11日 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記センサ(SCAPS)の雑音特性を4.5keV Si<su...

シソーラス用語： *Si半導体検出器 ,...

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分類 (2件)： 素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F) ,  素粒子・核物理実験計測用エレクトロニクス  (BE01020Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 荷電粒子 ,  CMOS ,  活性 ,  ピクセルセンサ ,  雑音特性