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J-GLOBAL ID：200902203084886637   整理番号：04A0543789

電子ビームリソグラフィーにおける線の縁の粗さに対する潜像の質の影響

Impact of Latent Image Quality on Line Edge Roughness in Electron Beam Lithography

著者 (7件)： YOSHIZAWA M (Sony Corp. MSNC, Kanagawa, JPN) ,  MORIYA S (Sony Corp. MSNC, Kanagawa, JPN) ,  NAKANO H (Sony Corp. MSNC, Kanagawa, JPN) ,  SHIRAI Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MORITA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KITAGAWA T (Sony Corp. MSNC, Kanagawa, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 6B  ページ： 3739-3743  発行年： 2004年06月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100,50及び2keV電子ビームリソグラフィーにおける,線...

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,...
準シソーラス用語： 縁

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (22件)：

• 1) S. Xiong, J. Bokor, Q. Xiang, P. Fisher, I. Dudley and P. Rao: Proc. SPIE 4689 (2002) 733.
• 2) The International Technology Roadmap for Semiconductors, edited by Semiconductor Industry Association, (2003).
• 3) S. Palmateer, S. Cann, J. Curtin, S. Doran, L. Eriksen, A. Forte, R. Kunz, T. Lyszczarz, C. Nelson and M. Sternm: Proc. SPIE 3333 (1998) 634.
• 4) W. Hinsberg, F. Houle, G. Wallraff, M. Sanchez, M. Morrison, J. Hoffnagle, H. Ito, C. Nguyen, C. E. Larson, P. J. Brock and G. Breyta: J. Photopolym. Sci. Technol. 12 (1999) 649.
• 5) G. W. Reynolds and J. W. Taylor: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>17</B> (1999) 334.

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビームリソグラフィー ,  縁 ,  潜像 ,  質