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J-GLOBAL ID：200902207397220708   整理番号：09A1008415

溶液プロセスによる電磁環境適合(EMC)対応した高抵抗フェライト膜

High resistive ferrite films by a solution process for electromagnetic compatible (EMC) devices

著者 (6件)： SUBRAMANI A.k. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama 226-8503, JPN) ,  KONDO K. (NEC Tokin Corp., 6-7-1 Koriyama, Taihaku-ku, Sendai, Miyagi 982-8510, JPN) ,  TADA M. (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 Ookayama Meguro, Tokyo 152-8552, JPN) ,  ABE M. (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 Ookayama Meguro, Tokyo 152-8552, JPN) ,  YOSHIMURA M. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama 226-8503, JPN) ,  MATSUSHITA N. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama 226-8503, JPN)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 321  号： 24  ページ： 3979-3983  発行年： 2009年12月 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結合型ノイズ抑制体用として,高抵抗性と優れたノイズ抑制能力を持つMn-Znフェライト膜を,スピンスプレーフェライトめっき法によって作製した。作製したままの膜は,結晶性で単相スピネル構造を示した。膜は,超高抵抗率を生じるナノ柱状統合組織を有した。さらに,化学組成を変えることにより抵抗率の変化する膜を作製し,次に,リフローはんだ付けプロセスの場合と同様に260°Cで3分間熱処理した。熱処理の効果を調べるために,コプレーナマイクロストリップ線路(50Ω)の反射係数と透過係数,S₁₁およびS₂₁パラメータを,作製したままの膜と熱処理した膜について測定した。抵抗率が2×10⁵Ω/sq以上のとき,S₁₁およびS₂₁は測定周波数域(50MHz~10GHz)内で,結合型ノイズ抑制体として理想的な均一プロフィールを示した。これらの膜は,適度な高抵抗率を維持し,したがって,熱処理(リフローはんだ付け過程)後も,阻止帯域周波数で下方シフトを示さなかった。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フェライト ,  スピネル型結晶 ,  マンガン化合物 ,  亜鉛化合物 ,  鉄化合物 ,  酸化物 ,  *膜 ,  過程 ,  溶液 ,  磁性材料 ,  *電磁両立性 ,  ナノ構造 ,  形態 ,  モルフォロジー ,  マイクロストリップ線路 ,  コプレーナ導波路 ,  反射率 ,  透過率 ,  リフロソルダリング ,  スピネル型構造
準シソーラス用語： スピネル構造 ,  ナノコラム ,  抵抗率 ,  透過係数 ,  反射係数

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液 ,  プロセス ,  電磁環境 ,  EMC ,  フェライト