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J-GLOBAL ID：200902210365869053   整理番号：09A1040343

Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃基強誘電体エピタキシャル膜の作製と評価

著者 (5件)： 舟窪浩 (東京工大) ,  矢澤慶祐 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  松島正明 (東京工大) ,  内田寛 (上智大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集  (Abstracts. Fall Meeting of the Ceramic Society of Japan)
巻： 22nd  ページ： 5  発行年： 2009年09月16日 
JST資料番号： L2240A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  亜鉛化合物 ,  チタン酸塩 ,  誘電体 ,  *セラミック膜 ,  *エピタクシー ,  MOCVD ,  誘電率 ,  結晶構造

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： BI ,  O3 ,  強誘電体 ,  エピタキシャル膜 ,  作製 ,  評価