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J-GLOBAL ID：200902214512661612   整理番号：07A0624414

Ka帯応用のための高性能In_0.52Al_0.48As/In_0.6Ga_0.4As変成高電子移動度パワートランジスタ

High-Performance In_0.52Al_0.48As/In_0.6Ga_0.4As Power Metamorphic High Electron Mobility Transistor for Ka-Band Applications

著者 (7件)： CHANG Chia-Yuan (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIEN Yi-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KUO Chien-I (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Szu-Hung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHU Li-Hsin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 6A  ページ： 3385-3387  発行年： 2007年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重δドーピング構造の70nm In<sub>0.52</s...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...
準シソーラス用語： InGaAs ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• M. Zaknoune, M. Ardouin, Y. Cordier, S. Bollaert, B. Bonte, and D. Theron: IEEE Electron Device Lett.24(2003)724.
• M.-Y. Kao, P. M. Smith, P. Ho, P.-C. Chao, H. H. G. Duh, A. A. Jabra, and J. M. Ballingall: IEEE Electron Device Lett.10(1989)580.
• Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, and T. Matsui: IEEE Electron Device Lett.23(2002)573.
• L. D. Nguyen, A. S. Brown, M. A. Thompson, and L. M. Jelloian: IEEE Trans. Electron Devices 39(1992)2007.
• D.-W. Tu, S. Wang, J. S. M. Liu, K. C. Hwang, W. Kong, P. C. Chao, and K. Nichols: IEEE Microwave Guided Wave Lett.9(1999)458.

タイトルに関連する用語 (6件)： Ka帯 ,  応用 ,  高性能 ,  変成 ,  電子移動度 ,  パワートランジスタ