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J-GLOBAL ID:200902216082195097   整理番号:06A0146184

ナノパルスプラズマの状態評価及びDLC膜合成への応用

Evaluation of Nanopulse Plasma and its Application to DLC Film Deposition
著者 (6件):
資料名:
巻: 126  号:ページ: 157-162  発行年: 2006年03月01日 
JST資料番号: S0808A  ISSN: 0385-4205  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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静電誘導サイリスタ素子を用いて,パルス幅1μsec以下のナノ...
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分類 (2件):
分類
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プラズマ一般  ,  気相めっき 
引用文献 (14件):
  • (1) J. R. Conrad, J. L. Radtke, R. A. Dodd, F. J. Worzala, and N. C. Tran : “Plasma source ion-implantation technique for surface modification of materials, J. Appl. Phys., Vol. 62, pp. 4591 (1987)
  • (2) X. D. Yang, T. Saito, Y. Nakamura, Y. Kondo, and N. Ohtake : “Mechanical Properties of DLC Films Prepared Inside of Micro-holes by Pulse Plasma CVD”, Abstracts of The 9th Int. Conf. on New Diamond Science and Technology, pp. 55 (2004)
  • (3) J. Nishizawa, T. Terasaki, and J. Shibata : “Field-effect Transistor versus Analog Transistor (Static Induction Transistor)”, IEEE Trans., Vol. ED-22, pp. 185-197 (1975-4)
  • (4) K. Iida and K. Sakuma : “Nanopulse generator employing a SI thyristor. (IES Circuit)”, Proc. of The 15th Symposium of Static Induction Devices, ISSN 1340-5853, SSID-02-9, pp. 45-50 (2002) (in Japanese)
  • 飯田克二·佐久間健 : 「SIサイリスタによる極短パルス発生回路(IES回路)」,第15回SIデバイスシンポジウム講演論文集,ISSN 1340-5853, SSID-02-9, pp. 45-50 (2002)
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