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J-GLOBAL ID：200902217735386825   整理番号：08A0424594

太陽電池用多結晶Si基板の欠陥および不純物の評価

著者 (12件)： 今井啓太 (明治大 理工) ,  田中聡志 (明治大 理工) ,  立花福久 (明治大 理工) ,  香川泰平 (明治大 理工) ,  増田純一 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  大下祥雄 (豊田工大) ,  新船幸二 (豊田工大) ,  河合秀昭 (豊田工大) ,  田島道夫 (JAXA) ,  井上雅晶 (明治大 理工) ,  井上雅晶 (JAXA)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 1  ページ： 444  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *ポリシリコン ,  基板 ,  *格子欠陥 ,  *不純物 ,  評価 ,  電子線誘起電流 ,  深準位過渡分光法 ,  写像 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： マッピング ,  *多結晶シリコン ,  EBIC

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  多結晶 ,  Si基板 ,  欠陥 ,  不純物 ,  評価