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J-GLOBAL ID：200902219887414380   整理番号：08A0837816

フラットナノ電極を用いたポリチオフェン単分子膜FETの作製および評価

著者 (5件)： 梨木将登 (大阪大) ,  赤井恵 (大阪大) ,  齋藤彰 (大阪大) ,  永野修作 (名古屋大) ,  桑原裕司 (大阪大)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2008  ページ： 9-10  発行年： 2008年07月22日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らはデバイス性能低下の諸要因を低減することにより,分子本来の特性計測を目的とした埋め込み型フラットナノギャップ電極を用いたポリチオフェン短チャネル単分子膜FETを作製した。分子として用いたPoly(3-Hexylthiophene)は,液晶混合展開法を用いて非常に配向性の高いLB膜が作製できるため,微小チャネル領域内ではドメインバウンダリーを形成しないことが期待出来る。また電極部分を絶縁体に埋め込んだフラット電極はチャネル部分の分子の構造歪みを防ぐだけでなく,電極-有機半導体界面の接触抵抗を削減できる。本報では作製したFETのデバイス特性及びキャリア移動度の温度依存性について測定した。これにより得た主な知見を次に示した。1)フラットナノ電極と液晶混合展開法との組み合せにより,非常に良好なFETを作製できること,2)そのFETを用いた温度依存性の測定により,極低温部分で導電性高分子ではこれまで観測されていなかった電気伝導特性を捉えたこと。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  単分子層 ,  微小電極 ,  ナノ構造 ,  Langmuir-Blodgett膜 ,  有機半導体 ,  *性能評価 ,  温度依存性 ,  導電性 ,  キャリア移動度 ,  接触抵抗 ,  *ポリチオフェン類 ,  *単分子膜 ,  ナノ電極

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： フラット ,  ナノ電極 ,  ポリチオフェン ,  単分子膜 ,  FET ,  作製 ,  評価