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J-GLOBAL ID：200902225375897397   整理番号：04A0072495

コレクタ電極として単一タングステンワイヤを用いたGaInAs/InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの作製

Fabrication of GaInAs/InP Heterojunction Bipolar Transistors with a Single Tungsten Wire as Collector Electrode

著者 (6件)： YOKOYAMA K (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MATUDA K (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NONAKA T (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKEUCHI K (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 12B  ページ： L1501-L1503  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.1μm幅の単一タングステンワイヤを有するGaInAs/I...

シソーラス用語： タングステン ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属の結晶成長  (BK13030M)

引用文献 (7件)：

• 1) M. J. W. Rodwell, M. Urteaga, Y. Betser, T. Mathew, P. Krishnan, D. Scott, S. Jaganathan, D. Mensa, J. Guthrie, R. Pullela, Q. Lee, B. Agarwal, U. Bhattacharya, S. Long, S. C. Martin and R. P. Smith: Int. J. High-Speed Electron. Syst. 11 (2001) 159.
• 2) K. Kurishima: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 2074.
• 3) T. Arai, H. Tobita, Y. Harada, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya: 11th Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials (Davos, Switzerland, 1999) TuA1-4.
• 4) T. Arai, S. Yamagami, Y. Miyamoto and K. Furuya: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L735.
• 5) Y. Miyamoto, T. Arai, S. Yamagami, K. Matuda and K. Furuya: 2002 Int. Conf. Solid State Devices & Materials (Nagoya, 2002) E-1-4.

タイトルに関連する用語 (7件)： コレクタ ,  タングステン ,  ワイヤ ,  GaInAs ,  InP ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  作製