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J-GLOBAL ID：200902151500399694   整理番号：01A0728453

埋込みタングステン線を有するサブミクロンInP/GaInAsヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース-コレクタ容量の低減

Reduction of Base-Collector Capacitance in Submicron InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Buried Tungsten Wires.

著者 (4件)： ARAI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMAGAMI S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 7B  ページ： L735-L737  発行年： 2001年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エミッタ幅が0.5μmの埋込み金属ヘテロ接合バイポーラトラン...

シソーラス用語： *リン化インジウム ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• 1) M. Sokolich, C. H. Fields and M. Madhav: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 8.
• 2) Q. Lee, S. C. Martin, D. Mensa, R. P. Smith, J. Guthrie, S. Jaganathan, T. Mathew, S. Krishnan, S. Ceran and M. J. W. Rodwell: <I>Proc. 11th Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials, Davos, Switzerland, 1999</I> (IEEE, Piscataway, 1999) p. 175.
• 3) T. Arai, H. Tobita, Y. Harada, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya: <I>Proc. 11th Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials, Davos, Switzerland, 1999</I> (IEEE, Piscataway, 1999) p. 183.
• 4) T. Arai, Y. Harada, S. Yamagami, Y. Miyamoto and K. Furuya: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L503.
• 5) T. Arai, S. Yamagami, Y. Okuda, Y. Harada, Y. Miyamoto and K. Furuya: submitted to IEICE Trans. Electron.

タイトルに関連する用語 (7件)： 埋込み ,  タングステン ,  サブ ,  InP ,  GaInAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  コレクタ