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J-GLOBAL ID：200902229475875108   整理番号：04A0512714

LEEPL用の超薄膜レジスト過程への挑戦

Challenges to Ultra-thin Resist Process for LEEPL

著者 (5件)： YOSHIZAWA M (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NAKANO H (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KITAGAWA T (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MORIYA S (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 17  号： 4  ページ： 581-586  発行年： 2004年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギー電子ビーム近接照射リソグラフィー(LEEPL)は...

シソーラス用語： *化学増幅レジスト ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (18件)：

• 1. J. L. Keddie, R. A. L. Jones, and R. A. Cory, Europhys. Lett. 27, 59 (1994).
• 2. D. S. Fryer, P. F. Nealey, and J. J. de Pablo, Macromolecules 33, 6439 (2000).
• 3. L. Xie, G. B. DeMaggio, W. E. Freize, J. DeVries, D. W. Gidley, H. A. Hristov, and A. F. Yee, Phys. Rev. Lett. 74, 4947 (1995).
• 4. T. Utsumi, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 7046 (1999).
• 5. N. Samoto, "LEEPL production tool: EBPrinter LEEPL-3000", presented at the SPIE's micro- lithography 2004, Feb. 2004, Santa Clara, USA.

タイトルに関連する用語 (4件)： LEEPL ,  超薄膜 ,  レジスト ,  過程