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J-GLOBAL ID：200902231433431387   整理番号：09A0235203

マルチフェロイクス材料の作製と応用 MOCVD法によるBiFeO₃基薄膜の合成と評価

著者 (4件)： 舟窪浩 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  安井伸太郎 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  山田智明 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  石河睦生 (東京工大 大学院総合理工学研究科)
資料名： Materials Integration  (Materials Integration)
巻： 22  号： 2  ページ： 25-31  発行年： 2009年01月25日 
JST資料番号： L0595A  ISSN： 1344-7858  CODEN： MINTFB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マルチフェロイック特性で大きな注目をあびているBiFeO₃,及びBiFeO₃-BiCoO₃薄膜をMOCVD法により合成し,得られた膜について結晶構造解析ならびに特性評価を行った。BiFeO₃膜のXRD回折図形を示した。BiFbO₃膜は膜厚40nmまで正方晶相であるのに対し,それ以上の膜厚では,チルト角は膜厚とともに増加し,膜は単斜晶相になっていることを明らかにした。BiFeO₃-BiCoO₃薄膜については,PbTiO₃の代わりに正方晶BiCoO₃用いることによりMOCVD法の高品質のエピタキシャル膜が高い析出速度が達成できた。BiCoO₃含有量xによるX線回折図形の変化を示した。xの増加に伴ってピークは低角度側に変化し,格子定数が短くなっていた。得られた膜の結晶構造の模式図,及び室温および80Kでの改善された膜の絶縁特性を示した。

シソーラス用語： *コバルト酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  依存性 ,  結晶構造解析 ,  *エピタクシー ,  *MOCVD ,  絶縁抵抗 ,  正方晶系 ,  単斜晶系 ,  X線回折 ,  *誘電体薄膜 ,  *ビスマスフェライト ,  膜厚依存性
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： マルチフェロイクス ,  作製 ,  応用 ,  MOCVD ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  評価