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J-GLOBAL ID：200902237343927144   整理番号：08A0424975

Co-BiFeO₃薄膜における抗電界の低減および自発磁化の発現

著者 (8件)： 永沼博 (東京理大) ,  三浦淳 (東京理大) ,  志村希 (東京理大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  西田謙 (防衛大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  岡村総一郎 (東京理大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 2  ページ： 575  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *抗電場 ,  鉄酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  コバルト化合物 ,  置換型固溶体 ,  飽和磁化 ,  保磁力 ,  残留磁化 ,  磁気モーメント ,  フェリ磁性 ,  残留分極 ,  原子間力顕微鏡 ,  溶液成長 ,  *自発磁化 ,  磁性強誘電体
準シソーラス用語： マルチフェロイック ,  化学溶液堆積法

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： CO ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  抗電界 ,  自発磁化 ,  発現