文献

J-GLOBAL ID：200902237979970260   整理番号：09A0858421

KNbO₃エピタキシャル膜の製膜と圧電特性の評価

Epitaxial Growth of KNbO₃ Thick Films by Hydrothermal Method and Their Characterization

著者 (9件)： 石河睦生 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  榮西弘 ,  長谷川智仁 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  矢澤慶裕 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  安井伸太郎 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  山田智明 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  黒澤実 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  森田剛 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院総合理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 135(US2009 22-28)  ページ： 11-13  発行年： 2009年07月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： スパッタリング法を用いて,絶縁体であるSrTiO₃基板上に導電性酸化物であるSrRuO₃結晶膜を製膜し,SrRuO₃上に水熱合成法を用いてKNbO₃圧電結晶膜を16μmの厚さでエピタキシャル成長させた。スパッタリング法では基板温度を400度に加熱し,水熱合成法ではオートクレーブを240度に加熱して製膜を行った。得られたKNbO₃//SrRuO₃//SrTiO₃上に直径100μm及び200μmのPt電極を電子線ビーム蒸着法により製膜し,誘電特性および圧電定数の測定を行った。分極値の測定結果から,分極-電界ヒステリシスカーブが観察され,良好な強誘電体としての特性を有していることが分かった。また,振動変位の測定結果から,良好かつ明確な電圧-変位バタフライループが確認された。以上の結果から,製膜したPt/KNbO₃//SR SrRuO₃//SrTiO₃の圧電定数は86pm/V,抗電界は45kV/cm,残留分極値は20μC/cm²と,圧電薄膜として非常に優れる値を示し,超音波トランスデューサ材料として有望であることが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： *ニオブ酸カリウム ,  *エピタクシー ,  *圧電材料 ,  水熱合成 ,  制御 ,  厚膜 ,  スパッタリング ,  酸化ルテニウム ,  ストロンチウム化合物 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  *誘電体薄膜 ,  配向制御

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (3件)：

• KAMO, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 10, 6987
• MORITA, T. J. Mater. Res. 2004, 19, 1862
• ISHIKAWA, M. Mater. Res. Soc. Proc. 2009, 1139

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル膜 ,  製膜 ,  圧電特性 ,  評価