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J-GLOBAL ID：200902238684126960   整理番号：04A0003492

IrSb₃スクッテルダイト型化合物の高温熱電特性に及ぼすドーピングの効果

Effects of Doping on the High-Temperature Thermoelectric Properties of IrSb₃ Skutterudite Compounds

著者 (3件)： KIM S W (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KIMURA Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MISHIMA Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 32  号： 11  ページ： 1141-1147  発行年： 2003年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p及びn型IrSb₃化合物を粉末冶金法...

シソーラス用語： *化合物半導体 ,...

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分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (3件)： スクッテルダイト ,  熱電特性 ,  ドーピング