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J-GLOBAL ID：200902245144536155   整理番号：09A0995581

CaF₂基板上に作製したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃厚膜の強誘電特性の組成依存

著者 (7件)： 江原祥隆 (東京工大 大学院) ,  宇津木覚 (東京工大 大学院) ,  中島光雅 (東京工大 大学院) ,  森岡仁 (東京工大 大学院) ,  森岡仁 (Bruker AXS) ,  山田智明 (東京工大 大学院) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 2  ページ： 516  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  *エピタクシー ,  *フッ化カルシウム ,  基板 ,  結晶方位 ,  *残留分極 ,  強誘電性 ,  *スパッタ蒸着 ,  バッファ層 ,  自発分極 ,  誘電分極
準シソーラス用語： 飽和分極

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (10件)： CaF2 ,  作製 ,  エピタキシャル ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  厚膜 ,  強誘電特性 ,  組成