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J-GLOBAL ID：200902247588475600   整理番号：09A0619543

「機能元素のナノ材料科学」超高圧プロセスによる反応性溶媒を用いた機能性III族窒化物結晶の創製

著者 (6件)： 谷口尚 (物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構 光材料セ) ,  中山敦子 (新潟大 超域研究機構) ,  大場史康 (京大 大学院工学研究科) ,  田中功 (京大 大学院工学研究科) ,  田中功 (ファインセラミックスセ ナノ構造研)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 48  号： 6  ページ： 311-316  発行年： 2009年06月01日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本報では,高圧合成法による新たな機能材料探索の一環として,III族窒化物単結晶の高圧合成と機能元素の添加による特性発現について,告した。ここでは,III属窒化物中でも大きなバンドギャップを有する窒化ホウ素(BN)と窒化アルミニウム(AlN)を対象とした。前者の高密度相(CBN)はダイヤモンドに次ぐ硬度を有する超硬質材料としての応用に加え,III-V属中最大のバンドギャップを有する物質としても古くから注目を集めている。後者はウルツ鉱型結晶構造を有し,GaNとの混相による紫外線発光デバイスの発光波長制御などの有力な研究対象となっている。研究のアプローチは,その前提として可能な限り高純度の結晶を得た上で,機能元素を添加し,新たな特性の発現を検証しようとするものである。高純度化の指針としては,ワイドバンドギャップ半導体としての,バンド端発光特性(自由励起子発光)が室温で観測されることを一つの目安とした。機能元素としては希土類元素を取上げ,これを附活した際の発光挙動の変化を検証した。

シソーラス用語： 溶媒 ,  *セラミック ,  *窒化ホウ素 ,  単結晶 ,  *窒化アルミニウム ,  希土類元素 ,  六方晶系 ,  化合物半導体 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  ガドリニウム化合物 ,  ユウロピウム化合物 ,  *化学合成 ,  材料科学 ,  ドーピング ,  陰極線ルミネセンス ,  光ルミネセンス ,  ナノ材料 ,  *CBN【セラミック】 ,  *高圧合成 ,  ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ半導体 ,  機能元素

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (13件)：

• 福長脩. New Diamond. 2005, 79, 8
• WENTORF, R. H. Jr. J. Chem. Phys. 1962, 36, 1990
• 谷口尚. 日本結晶成長学会誌. 1998, 25, 3
• TANIGUCHI, T. J. Crystal. Growth. 2007, 303, 525
• MISHIMA, O. Electric Refractory Materials. 2000, 495

タイトルに関連する用語 (8件)： 元素 ,  材料科学 ,  高圧プロセス ,  反応性溶媒 ,  機能性 ,  III族 ,  窒化物結晶 ,  創製