文献

J-GLOBAL ID：200902258681529763   整理番号：08A0942860

パイロクロア構造導電体Bi₂Ru₂O₇のエピタキシャル膜のMOCVD合成と(Bi_1.5Zn_0.5)(Zn_0.5Nb_1.5)O₇用電極としての検討

著者 (11件)： 碇山理究 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  森岡仁 (東京工大) ,  森岡仁 (ブルカーAXS) ,  斉藤啓介 (ブルカーAXS) ,  小林義彦 (電通大) ,  小林義彦 (東京医大) ,  金子徹也 (電通大) ,  浅井吉蔵 (電通大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 456  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化物 ,  *ルテニウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  導体 ,  *パイロクロア型結晶 ,  *エピタクシー ,  MOCVD ,  亜鉛化合物 ,  ニオブ化合物 ,  *電極材料 ,  結晶方位 ,  ウエハ【IC】 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  X線回折 ,  薄膜コンデンサ ,  YSZ【セラミック】 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： パイロクロア ,  導電体 ,  エピタキシャル膜 ,  MOCVD