文献

J-GLOBAL ID：200902263589461382   整理番号：09A0423958

Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃基強誘電体エピタキシャル膜の作製と評価

著者 (7件)： 矢澤慶祐 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  松島正明 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  岡村総一郎 (東京理大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 2  ページ： 574  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  鉄酸塩 ,  *強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  チタン酸塩 ,  固溶体 ,  エピタクシー ,  *MOCVD ,  X線回折 ,  格子定数 ,  分極反転 ,  *チタン酸ビスマス ,  マルチフェロイック材料 ,  *ビスマスフェライト
準シソーラス用語： *亜鉛酸ビスマス ,  亜鉛酸塩 ,  *鉄酸ビスマス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： Bi ,  O3 ,  強誘電体 ,  エピタキシャル膜 ,  作製 ,  評価