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J-GLOBAL ID：200902265575537036   整理番号：08A0190164

MOCVD法によるエピタキシャルパイロクロア導電膜の作製とこれを用いたキャパシタの評価

著者 (6件)： 碇山理究 (東京工大 大学院) ,  安井伸太郎 (東京工大 大学院) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院) ,  斎藤啓介 (ブルカーAXS) ,  森岡仁 (東京工大 大学院) ,  森岡仁 (ブルカーAXS)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 46th  ページ： 458-459  発行年： 2008年01月10日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  導電膜 ,  作製 ,  キャパシタ ,  評価