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J-GLOBAL ID：200902266073924865   整理番号：09A0995567

巨大正方晶歪みを有するBi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃エピタキシャル膜の作製と評価

著者 (7件)： 矢澤慶祐 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  松島正明 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  山田智明 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 2  ページ： 511  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  チタン酸塩 ,  鉄酸塩 ,  固溶体 ,  エピタクシー ,  *MOCVD ,  *強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  基板 ,  優先配向 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *正方晶系 ,  格子歪 ,  自発分極 ,  分極反転 ,  ルテニウム酸ストロンチウム
準シソーラス用語： 亜鉛酸塩

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 正方晶 ,  歪み ,  Bi ,  O3 ,  BiFeO3 ,  エピタキシャル膜 ,  作製 ,  評価