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J-GLOBAL ID：200902267470507410   整理番号：09A1108952

Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃基強誘電体エピタキシャル薄膜の作製と評価

著者 (7件)： 矢澤慶祐 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  松島正明 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  岡村総一郎 (東京理大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (セラミックス基礎科学討論会講演予稿集)
巻： 47th  ページ： 218-219  発行年： 2009年01月08日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  亜鉛化合物 ,  チタン酸塩 ,  強誘電体 ,  *セラミック膜 ,  エピタクシー ,  *MOCVD ,  基板温度 ,  結晶構造

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： BI ,  O3 ,  強誘電体 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  作製 ,  評価