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J-GLOBAL ID：200902273725836110   整理番号：07A0377072

圧電応用を目指した一軸配向Biペロブスカイト酸化物厚膜のMOCVD法作製とその特性評価

著者 (6件)： 安井伸太郎 (東京工大) ,  永沼博 (東京理大) ,  岡村総一郎 (東京理大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  西田謙 (高知工科大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 2  ページ： 616  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 強誘電体 ,...

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分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 圧電 ,  応用 ,  一軸配向 ,  Bi ,  ペロブスカイト ,  酸化物 ,  厚膜 ,  MOCVD ,  作製 ,  特性評価